Силовой модуль IGBT SKIIP24AC126V1

6314,00 ₽

Артикул: d25cb766dfe9 Категории: , ,

      Описание

      ловия снятия характеристики Значение Единица измерения
      IGBT-транзистор инвертора
      VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером 1200 В
      IC ток коллектора Tc = 25 (70) °C 52 (40) А
      ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора tимп  width= 1 мс 70 А
      VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером ± 20 В
      Tj температура перехода — 40 … + 150 °C
      Обратный диод инвертора
      IF прямой ток Tc = 25 (70) °C 38 (29) A
      IFRM максимальный повторяющийся прямой ток tимп  width= 1 мс 70 A
      Tj температура перехода — 40 … + 150 °C
      ItRMS действующее значение во включенном состоянии для одной силовой клеммы (20A/пружину) 100 A
      Tstg температура хранения Top  width= Tstg — 40 … + 125 °C
      Visol напряжение испытания изоляции переменное напряжение, 1 минута 2500 В
      Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
      Обозначение Наименование Условия снятия характеристики мин. ном. макс. Единица измерения
      IGBT-транзистор инвертора
      VCE(sat) напряжение насыщения коллектора-эмиттера ICnom = 35 A, Tj = 25 (125) °C 1,7 (2) 2,1 (2,4) В
      VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 1,5 мА 5 5,8 6,5 В
      VCE(TO) Пороговое напряжение коллектора-эмиттера (статическое) Tj = 25 (125) °C 1 (0,9) 1,2 (1,1) В
      rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии Tj = 25 (125) °C 20 (31) 26 (37) мОм
      Cies Входная емкость при закороченном выходе VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц 2,4 нФ
      Coes выходная емкость при закороченном входе VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц 0,5 нФ
      Cres Обратная передаточная емкость (емкость Миллера) VGE = 25, VCE = 0 В, f = 1 МГц 0,3 нФ
      Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного IGBT 0,75 K/Вт
      td(on) длительность задержки включения VCC = 300 В, VGE = ± 15В ICnom = 35 A, Tj = 125 °C RGon = RGoff = 15 Ом индуктивная нагрузка 80 нс
      tr время нарастания 30 нс
      td(off) длительность задержки выключения 435 нс
      tf время спада 95 нс
      Eon рассеиваемая энергия в процессе включения 4.2 мДж
      Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения 4.4 мДж
      Обратный диод инвертора
      VF = VEC прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе IFnom = 35 A; Tj = 25 (125) °C 1,8 (1,8) 2,1 (2,2) В
      V(TO) пороговое напряжение Tj = 25 (125) °C 1 (0,8) 1,1 (0,9) В
      rT прямое дифференциальное сопротивление Tj = 25 (125) °C 23 (31) 29 (37) мОм
      Rth(j-s) Тепловое сопротивление для одного диода 1.5 K/Вт
      IRRM максимальный ток обратного восстановления IIFnom = 35 A, VR = 300 В VGE = 0В, Tj = 125 °C diF/dt = 1450 A/мкс 43 A
      Qrr заряд восстановления 7 мкКл
      Err Рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления 3.5 мДж
      Датчик температуры
      Rts сопротивление 3 %, Tr = 25 (100) °C 1000 (1670) Ом
      Механические данные
      Ms монтажный вращающий момент 2 2.5 Н · м
      m масса 65 грамм
      IC — ток коллектора;